成果概况
属于新技术类别，该项目采用国际先进的水分辅助化学气相沉积技术，
生长高品质单壁、多壁碳纳米管垂直阵列。
专利情况
已申请并公开国家发明专利2项。
一种制备高纯度单壁碳纳米管垂直阵列的方法，申请号：201010262098.X，公开号：CN101948105A。
一种定向碳纳米管纳滤膜的制备方法，申请号：201310178710.9，公开号：CN103212305A。
市场前景与领域运用
碳纳米管阵列是在范德华力作用下，由垂直于基片生长的碳纳米管组成的宏观结构。由于很大程度上继承了碳纳米管一维纳米材料的特征，因此碳纳米管阵列在场发射显示、热界面材料、传感器、电极材料等方面具有重要的应用前景。
技术创新点
采用水分辅助化学气相沉积技术，所生长碳纳米管阵列的纯度（高于98%）显著高于其他生长方法，碳纳米管阵列高度大于1000微米，并且结晶质量良好。
